關(guān)位置檢測(cè)芯片/低壓低功耗系列/BFEB7DF4777F4A058DD05E9DFC35DB73.png)
MT8551
MT8551 簡(jiǎn)介 MT8551采用BCD工藝,具有高性能以及高可靠性。芯片內(nèi)集成了霍爾感應(yīng)元件。具有寬泛的工作電壓(3.0V~24V),以及良好的反向電壓保護(hù)能力和過(guò)流保護(hù)能力,25KHz的采樣頻率。并且具有優(yōu)良的溫度補(bǔ)償能力,使芯片能工...
MT8551 簡(jiǎn)介 MT8551采用BCD工藝,具有高性能以及高可靠性。芯片內(nèi)集成了霍爾感應(yīng)元件。具有寬泛的工作電壓(3.0V~24V),以及良好的反向電壓保護(hù)能力和過(guò)流保護(hù)能力,25KHz的采樣頻率。并且具有優(yōu)良的溫度補(bǔ)償能力,使芯片能工...